在上篇文章中，羞羞韩漫网站結合具體案例為大家介紹了原子層沉積技術的概念、原理和特點。

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還有很多朋友提問化學氣相沉積（CVD）和原子層沉積（ALD）的區別，羞羞韩漫网站從反應效率、均勻性以反應溫度三方麵來進行說明。

在化學氣相沉積（ CVD） 中，前驅體被同時且連續地引入反應器中，這些前驅體在熱基材表麵相互反應。沉積速度可能比 ALD 更高，但塗層的粘附性較差，不夠致密，而且不均勻。

由於 CVD 缺乏自鈍化作用，因此也不可能形成均勻的高深寬比塗層。CVD 工藝由於在溝槽或孔內前驅體濃度較低，導致厚度比基材表麵低得多。CVD 通常還需要較高的襯底溫度。

ALD有更好的台階擴散性和溝槽塗層均勻性

本篇文章羞羞韩漫网站將繼續從效率、溫度和塗層類型揭秘原子層沉積技術，歡迎對原子層沉積技術感興趣的朋友們和羞羞韩漫网站一起交流探討。

Part1  原子層沉積工藝的效率

原子層沉積（ALD ）工藝的生長過程相當緩慢，大約每 cycle 1 個原子層需要 1s左右。然而，一些變體要快得多，特別是快速優化的流動反應器（1-5 nm/秒）和空間 ALD（1-10 nm/秒）。

然而，由於 ALD 工藝固有的自鈍化特性，可以將數千個基材裝入反應器中，從而使每個零件的塗覆速度極快、均勻且可重複！或者，可以使用卷對卷 ALD，其中當使用許多塗布頭時，卷速可以很高（與空間 ALD 相比）。

但當 ALD 應用於粉末等高比表麵積基底時，由於吹掃需要消耗大量時間，因此每個 cycle 的生長時間會更長，甚至長達 1 小時。

Part2  原子層沉積需要的溫度

在 ALD 中，適合沉積的基板溫度範圍為室溫至 800℃，但大多數沉積發生在 100-200℃ 左右。當溫度高於 100°C 時，通常用作反應物之一的水蒸氣會從基板和壁上快速蒸發，因此使用高於 100°C 的溫度，前驅體之間的循環速度會更快。

在高溫下，某些材料可以實現外延生長。若沉積層與基底晶型匹配，即可形成單晶塗層，這就是所謂的原子層外延！

Part3  原子層沉積工藝支持的塗層類型

技術行業和學術界對可用於 ALD 的材料進行了廣泛的研究，該列表每年都會不斷更新。以下是羞羞韩漫网站為您精選可使用的材料：

1.氧化物：Al2O3、CaO、CuO、Er2O3、Ga2O3、 HfO2、La2O3、MgO、Nb2O5、Sc2O3、SiO2 、Ta2O5、TiO2、VXOY、Y2O3、Yb2O3、ZnO 等

2.氮化物：AlN、GaN、TaNX、TiAlN、TiNX 等

3.碳化物：TaC、TiC 等

4.金屬：Ir、Pd、Pt、Ru 等

5.硫化物：ZnS、SrS 等

6.氟化物：CaF2、LaF3、MgF2、SrF2等

7.生物材料：Ca10(PO4)6(OH)2（羥基磷灰石）等

8.聚合物：PMDA–DAH、PMDA–ODA 等

還可以使用 ALD 進行摻雜和混合不同的結構，形成金屬有機雜化物。

ALD 塗層配方（彩色部分為主體元素可形成的化合物）